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MEMS用曝光装置

在曝光过程中,通过移动掩膜来控制光刻胶表面的曝光能量分布。能够制作有任意曲面及倾斜的三维微细构造体。

主要特长
  • 采用独自的镜面・镜头光学系统,实现全面均匀的照射。
  • 配备有可设定非接触・面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X・Y・θ轴对位台的对位系统。
  • 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。

光刻胶膜厚50μm时的图形例

L/S=50μm
掩膜移动量 =20μm

mum2.png

Dot=Φ50μm
掩膜移动量 =Φ25μm

 


主要规格
  MUM系列
掩膜尺寸 Max 9" x 9" x t3.0 mm
基板尺寸 Max Φ8"(Wafer)
光源 超高压水银灯 :500W or 1kW
外观尺寸及重量 本体尺寸 W2120 x D1305 x H1850 mm
本体重量 640kg

※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽

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