把涂有光刻胶的基板与掩膜重叠，光刻图形的曝光装置。为了实现多层曝光时的自动对位，装配有显微镜和X・Y・θ对位台。自动进行基板的供給、对位、曝光、排出。
主要特长
- 采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。
- 利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。
- 利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。
- 利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。
- 通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送。
主要规格
| MA-4000 | |||
|---|---|---|---|
| Wafer尺寸 | Ø2～4″ | Ø4～6″ | |
| 掩膜尺寸 | □5″ | □7″ | |
| 光源 | 超高压水银灯：500W or 1kW | ||
| 外观尺寸及重量 | 本体尺寸 | W1340 x D1430 x H1900mm | |
| 本体重量 | 1120kg | ||
| 选购项 | 生产管理系统(D-Net)、背面对位、○□基板兼用 | ||
※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽
