主要特长

  • 使用独创的高速图像处理技术，实现了wafer和掩膜的高精度对位。
  • 搭载自动掩膜更换机，可支持掩膜存放库。
  • 搭载非接触予对位系统（PREALIGNER），实现了在不损伤基板的情况下的高精度基板送入。
  • 使用独自的平行调整机构，高精度的控制掩膜和wafer间的近接间隙。
  • 搭载独创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE），实现了照射面内的均匀性以及高照度。

主要规格

MA-4301ML
Wafer尺寸Ø200ｍｍ／Ø300ｍｍ
节拍时间32sec/wafer
对位精度正面对位精度　：　±1μm
  背面对位精度　：　±1.5μm
GAP设定范围1～200μm
曝光方式近接/软接触/硬接触/真空接触
本体尺寸W2600×D2300×H2350mm