主要特长

  • 利用本公司独创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。
  • 装载机侧和卸载机侧最多可设置两个篮具(选购项)。
  • 备有冷却机构,可进行基板台与掩膜的温度管理(选购项)。
  • 搭载本公司独创的镜面光学系统爆光灯房(LAMP HOUSE)。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。
  • 搭载非接触预对位系统(PREALIGNER)。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。
  • 搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
Ø200mm 兼容曝光机

主要规格

  MA-4301M
Wafer尺寸 材料 Si,Glass
尺寸 Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm
Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
节拍时间 Proximity exposure:19 s/wafer
(One parallelism compensation per lot)
对位精度 自动对位:+/- 1 μm
(Peak search)
间隙 1 to 200 μm Servo motor
Setup resolution:1 μm
曝光方式 Soft contact exposure
Hard contact exposure
Proximity exposure
尺寸・重量 本体尺寸:W 1800 x D 1650 x H 2015 mm
总重量(including lamp house):1400 kg