无掩膜曝光装置

利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。

主要特长

• 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。
• 能够对应半导体、电子零件、高端PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。
• 由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以最大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。
• 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。

无掩膜曝光技术

主要规格

型式		MX-1201			MX-1201E		MX-1205
最小线幅 (※1)	[μm]	5			3		2	1
数据分辨率	[μm]	0.488			0.25		0.1	0.05
最大基板尺寸	[mm]	200 x 200			200 x 200		100 x 100
有效曝光范围	[mm]	200 x 200			200 x 200		100 x 100
激光主波长	[nm]	405	375	405 + 375	405	375	375
曝光扫描速度	[mm/s]	43.94			22.5		9	4.5
节拍时间	[s,min]	180 [s]			320 [s]		16 [min]	27 [min]
最大曝光量	[mJ/c㎡]	245	70	245 + 70	460	135	50	100

※1　因光刻胶和显影条件而异。