把涂有光刻胶的基板与掩膜重叠,光刻图形的曝光装置。为了实现多层曝光时的自动对位,装配有显微镜和X・Y・θ对位台。自动进行基板的供給、对位、曝光、排出。

主要特长

  • 采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。
  • 利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。
  • 利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。
  • 利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。
  • 通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送。
化合物半导体用曝光装置(Mask Aligner)

主要规格

MA-4000
Wafer尺寸 Ø2~4″ Ø4~6″
掩膜尺寸 □5″ □7″
光源 超高压水银灯:500W or 1kW
外观尺寸及重量本体尺寸 W1340 x D1430 x H1900mm
本体重量1120kg
选购项生产管理系统(D-Net)、背面对位、○□基板兼用

※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽