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化合物半导体用曝光装置(Mask Aligner)

把涂有光刻胶的基板与掩膜重叠,光刻图形的曝光装置。为了实现多层曝光时的自动对位,装配有显微镜和X・Y・θ对位台。自动进行基板的供給、对位、曝光、排出。

主要特长
  • 采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。
  • 利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。
  • 利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。
  • 利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。
  • 通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送。
 
 
主要规格
  MA-4000
Wafer尺寸 Ø2~4" Ø4~6"
掩膜尺寸 □5" □7"
光源 超高压水银灯 :500W or 1kW
外观尺寸及重量 本体尺寸 W1340 x D1430 x H1900mm
本体重量 1120kg
选购项 生产管理系统(D-Net)、背面对位、○□基板兼用

※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽

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