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无掩膜曝光装置

由合资企业INDEX Technologies株式会社开发

利用独自的高速描画「Point Of Array方式」技术直接描画图形的装置。

主要特长
  • 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。
  • 能够对应以高端PCB、高密度Packaging、平板显示(FPD)等为首的MEMS等微细加工领域。
  • 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以最大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。
  • 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
マスクレス露光装置
主要规格
  MX-1201 MX-1201 MX-1201E MX-1204 MX-1702E
最小线幅 (※1) 5μm 5μm 3μm 1μm 10μm
数据分辨率 0.5μm 0.5μm 0.25μm 0.122μm 1.0μm
最大基板尺寸 200 x 200mm 200 x 200mm 200 x 200mm 150 x 150mm 550 x 650mm
有效曝光范围 200 x 200mm 200 x 200mm 200 x 200mm 150 x 150mm 550 x 650mm
激光主波长 405±5nm 375±5nm 405±5nm 375±5nm 405±5nm
曝光扫描速度 43.9mm/s 22.5mm/s 10.9mm/s 92.2mm/s
光学引擎装配数量 1 7


※1 因光刻胶和显影条件而异。

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