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无掩膜曝光装置

由合资企业INDEX Technologies株式会社开发

利用独自的高速描画「Point Of Array方式」技术直接描画图形的装置。

主要特长
  • 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。
  • 能够对应以高端PCB、高密度Packaging、平板显示(FPD)等为首的MEMS等微细加工领域。
  • 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以最大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。
  • 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
マスクレス露光装置
主要规格
型 式 MX-1201 MX-1201E MX-1205
最小线幅(※1) [μm] 5 3 2 1
数据分辨率 [μm] 0.488 0.25 0.1 0.05
最大基板尺寸 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
有效曝光范围 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
激光主波长 [nm] 405 375 405 + 375 405 375 375
曝光扫描速度 [mm/s] 43.94 22.5 9 4.5
节拍时间 [s,min] 180 [s] 320 [s] 16 [min] 27 [min]
最大曝光量 [mJ/c㎡] 245 70 245 + 70 460 135 50 100


※1 因光刻胶和显影条件而异。

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